单元4:薄膜的制备

4-1 薄膜的认识随堂测验

1、SiO2薄膜的结构是()结构。
    A、六面体
    B、Si-O四面体结构
    C、平面型结构
    D、八面体结构

2、下面选项中可作为金属膜使用的是()。
    A、磷硅玻璃
    B、铝-硅合金
    C、多晶硅
    D、硼磷硅玻璃

3、半导体生产中常用的薄膜有()。
    A、绝缘介质膜
    B、半导体薄膜
    C、陶瓷薄膜
    D、金属薄膜

4、列举集成电路工艺里氧化物的应用有()。
    A、栅介质
    B、保护层
    C、绝缘层和钝化层
    D、隔离层

5、当SiO2网络中掺入IIIA族元素,网络的强度减弱。

6、二氧化硅是硅的最稳定化合物,属于酸性氧化物,不溶于水。

7、氮化硅膜是指硅氮化合物的薄膜,属于绝缘介质膜的一种。

8、多晶硅膜、单晶硅膜、非晶硅膜和磷硅玻璃PSG在半导体生产中均可作为半导体膜。

9、SiO2结构种类包括()和()。

10、非本征网络的二氧化硅中杂质分类为代位式杂质何()。

4-2 SiO2的热氧化随堂测验

1、二氧化硅热氧化过程中,当 T>1000°C 时,
氧化时间较长时,氧化膜厚度与时间呈()关系。
    A、无规律
    B、线性
    C、抛物线
    D、到一定程度,薄膜厚度不再增加

2、以下()选项不属于掺氯氧化的功能。
    A、界面处的氯能降低固定氧化物电荷
    B、界面处的氯对Na+俘获和中性化
    C、氧化速率比在纯氧中低
    D、掺氯氧化能抑制氧化层错

3、用氧化法制备薄膜,要生成1体积的二氧化硅,需要消耗()体积的硅。
    A、0.46
    B、0.65
    C、0.36
    D、1

4、下面氧化方式中()氧化方式的氧化速率最快。
    A、干氧氧化
    B、湿氧氧化
    C、低压氧化
    D、水汽氧化

5、根据氧化剂的不同,热氧化可分为( )。
    A、干氧氧化
    B、水汽氧化
    C、湿氧氧化
    D、掺氯氧化

6、常见的热氧化设备包括立式和卧式两种。

7、氧化速率随着氧化层厚度的增加(氧化时间的增加)而下降。

8、二氧化硅是一种介质材料,具有一定的导电性。

9、氧化物有两个生长阶段来描述,分别是线性阶段和抛物线阶段。

10、利用不同厚度的SiO2膜对白光反射得到不同的干涉色彩的现象可以判断膜厚。

4-3 化学气相沉积(CVD)随堂测验

1、LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃,采用热分解法,反应方程式为:()。
    A、SiCl4→Si+2Cl2
    B、SiH4 →Si+2H2
    C、Si3N4→3Si+2N2
    D、SiH2Cl2→Si+Cl2+H2

2、化学气相沉积的过程是()。 a.反应物扩散过边界层到衬底表面 b.衬底表面吸附反应物 c.化学反应沉积形成薄膜 d.反应副产物脱附 e.反应副产物扩散至主流层随传输气体排走
    A、bcade
    B、abcde
    C、acbde
    D、abdce

3、金属钨的CVD方法中要用到的气体源是()。
    A、SiH4
    B、WF6
    C、金属钨
    D、SiF4

4、CVD反应必须满足三个挥发性标准是()。
    A、需要在低压环境下进行
    B、除淀积物质外,反应产物必须是挥发性的
    C、淀积物本身必须具有足够低的蒸气压
    D、在淀积温度下,反应剂必须具备足够高的蒸汽压

5、在半导体产业界第一种类型的CVD是APCVD。

6、与APCVD相比,LPCVD有更低的成本、更高的产量以及更好的膜性能,因此应用更为广泛。

7、CVD是利用某种物理过程,例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移,即原子或分子由源转移到衬底(硅)表面上,并淀积成薄膜。

8、二氧化硅薄膜只能采用APCVD方法制备。

9、多晶硅膜的制备最常用的方法是LPCVD法。

10、缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是( )、( )、()、和( )。

4-4 外延技术随堂测验

1、外延生长工艺流程是()。①硅片清洁处理 ②氯化氢气相抛光 ③系统的清洁处理 ④降温取片 ⑤外延生长
    A、①②③④⑤
    B、①②③⑤④
    C、③①②⑤④
    D、③①②④⑤

2、金属有机化合物化学气相沉淀的缩写为()。
    A、LPCVD
    B、MOCVD
    C、ICPCVD
    D、APCVD

3、外延层的晶格缺陷有()。
    A、位错
    B、层错
    C、角锥体
    D、云雾状表面

4、外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层,分为同质外延和异质外延两大类。

5、高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。

6、如果外延后器件制作在外延层上,则称之为正外延。

7、外延层膜厚的测定可以采用三探针法。

8、分子束外延(MBE)是新发展起来的外延制膜方法,也是一种特殊的真空镀膜工艺。

9、外延是指在单晶衬底上,用物理或化学的方法,按衬底晶向排列(生长)单晶膜的工艺过程。

10、在外延工艺中,如果膜和衬底材料相同,例如硅衬底上长硅膜,这样的膜生长称为( );反之,膜和衬底材料不一致的情况,例如硅衬底上长氧化铝,则称为( )。

4-5 物理气相沉积随堂测验

1、下列()不属于物理气相淀积?
    A、磁控溅射和射频溅射
    B、电子束蒸发
    C、电阻丝加热蒸发
    D、ICP-CVD

2、电子束蒸发和磁控溅射法都属于PVD范畴。

3、电阻丝加热蒸发应用范围广,可蒸发铂、钼、钛等高熔点金属材料。

4、通过外加磁场提高电子的离化率,磁控溅射可以提高溅射效率。

5、物理气相淀积主要可分为()和()两类。

单元测试

1、下列选项中不属于二氧化硅层厚度检测方法的是( )。
    A、比色法
    B、光学干涉法
    C、椭圆偏振法
    D、三探针法

2、二氧化硅最常用的腐蚀液是( )
    A、HNO3
    B、HF
    C、H3PO4
    D、KOH

3、二氧化硅薄膜在半导体器件生产上的应用有() ⑴ 对杂质的掩蔽作用 ⑵ 对器件表面的保护和钝化作用 ⑶ 用于器件的电绝缘和电隔离 ⑷ 作为电容器的介质材料 ⑸ 作为MOS场效应晶体管的绝缘栅材料
    A、A.⑴⑵
    B、B. ⑴⑵⑶
    C、C. ⑴⑵⑷⑸
    D、D. ⑴⑵⑶⑷⑸

4、LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃,采用热分解法,反应方程式为:( )。
    A、SiCl4→Si+2Cl2
    B、SiH4 →Si+2H2
    C、Si3N4→3Si+2N2
    D、SiH2Cl2→Si+Cl2+H2

5、下面哪些说法是正确的() ⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上,也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2,衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2,温度低
    A、⑴⑵
    B、⑵⑷
    C、⑴⑵⑷
    D、⑴⑵⑶⑷

6、以下选项中()属于导电膜的作用。
    A、连接作用:将IC里的各元件连起来,形成一个功能完善而强大的IC。
    B、接触作用:在基区和发射区、栅区及有源区形成欧姆接触。
    C、阻挡作用:阻挡Al与Si的互溶,防止结的穿通。
    D、抗反射作用(ARC作用):降低Al表面反射率,有利于曝光。

7、下列选项中()可作为绝缘介质膜使用。
    A、氧化硅
    B、氮化硅
    C、氮化镓
    D、三氧化二铝

8、下面关于集中CVD方法描述正确的是()。
    A、等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统,低温淀积是其最主要优点。
    B、低压化学气相淀积系统(LPCVD)淀积的某些薄膜,在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好,而且污染也少。
    C、做CVD淀积钨时,采用六氟化钨WF6作为气体源,六氟化钨能
与衬底窗口处的硅反应,而不与二氧化硅、氮化硅反应,
所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。
    D、LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜。

9、以下选项中()属于MOCVD的特点。
    A、适用范围广泛,几乎可以生长所有化合物及合金半导体。
    B、生长易于控制,可以生长纯度很高的材料。
    C、可以生长超薄外延层,并能获得很陡的界面过渡。
    D、外延层大面积均匀性良好,可以进行大规模生产。
    E、非常适合于生长各种异质结构材料。

10、自掺杂现象是指非反应气体有意掺入的杂质引起的外延层的掺杂现象,下面选项中()是减小自掺杂现象可采取的措施。
    A、降低外延生长的温度
    B、衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖
    C、用两步外延法
    D、低压外延法

11、CVD是利用某种物理过程,例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移,即原子或分子由源转移到衬底(硅)表面上,并淀积成薄膜。

12、高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。

13、外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层,分为同质外延和异质外延两大类。

14、LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃,采用增强的等离子体,增加淀积能量,即低压和低温。

15、溅射比蒸发制备的薄膜的台阶覆盖比要好。

16、溅射是指利用高能粒子(通常是由电场加速的正离子如Ar+)撞击固体表面,使表面离子(原子或分子)逸出的现象。

17、铝、铜、钨、钛、单晶硅、铝-硅合金、铝铜合金及硅化物均属于导体膜。

18、重掺杂的多晶硅薄膜作为电容器的极板、浮栅、电极等。

19、氮化硅Si3N4可以作为杂质扩散的掩蔽膜和钝化膜使用。

20、干氧氧化比湿氧氧化的氧化速率快,生成的二氧化硅膜的致密性更好。

21、目前常用的CVD系统有:( )、( )和( )。

22、SiO2网络中的氧的存在方式有桥联氧和()。

23、当SiO2网络中掺入IIIA族元素,网络的强度(),当网络中掺入VA族元素,网络的强度()。

24、分子束外延的英文缩写是(),金属有机化合物化学气相沉淀的英文缩写是()。

25、溅射是利用()撞击固体表面,使表面()逸出的现象。

单元作业

1、什么叫物理气相沉积?

2、什么叫热氧化?

3、二氧化硅膜在半导体生产中有哪些应用?

4、影响热氧化生长速率的因素有哪些?

5、什么叫化学气相沉积?常用的化学气相沉积方法有哪些?

单元1:集成电路制造工艺概述

1-1 集成电路制造工艺的发展随堂测验

1、集成电路的英文简称为()
    A、LCC
    B、IC
    C、MCU
    D、MC

2、集成电路出现于()年。
    A、1959
    B、1947
    C、1965
    D、1946

3、世界上第一个晶体管产生于()年。
    A、1946
    B、1965
    C、1959
    D、1947

4、摩尔定律认为集成电路的集成度每()月翻一番。
    A、12
    B、24
    C、18
    D、20

5、特征尺寸越小,芯片的集成度越高,速度越快,性能越好。

1-2TTL制造工艺流程随堂测验

1、TTL三极管制造中会使用外延、氧化、光刻、扩散等工艺。

2、集成电路是通过一系列特定的加工工艺,将晶体管等元器件按照一定的电路互连,“集成”在一块半导体单晶片上,封装在一个外壳内,执行特定电路或系统功能的复杂电子系统。

3、集成电路发展的一个趋势是芯片尺寸和硅片直径越来越小。

4、SOC(Systemonachip)是指片上系统,为系统级芯片。

5、集成电路按器件结构分主要可分为:双极型集成电路、 MOS集成电路和 BICMOS集成电路等。

1-3 NMOS制作工艺流程随堂测验

1、CD(Critical Dimension)是集成电路中半导体器件的最小尺寸,是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度。

2、微电子学的核心是集成电路。

3、12英寸硅片的直径大约200mm。

4、微电子学中的空间尺度通常是以微米和纳米为单位的,其中,1nm=1000um。

5、微电子是研究电子在半导体和集成电路中的物理现象、物理规律及其应用的学科。

单元1《集成电路制造工艺》单元测验

1、微电子学的核心是集成电路。

2、纳米是长度的单位,1纳米为1微米的1000倍。

3、甚大规模集成电路ULSI出现于上世纪80年代。

4、SOC的出现说明集成电路的规模越来越大,SOC是指芯片级的系统。

5、CD(Critical Dimension)是集成电路中半导体器件的最小尺寸,是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度。

6、摩尔定律指出集成电路的晶体管的集成度每()个月翻一番。

7、芯片的特征尺寸越小,芯片的集成度越(),速度越(),性能越()。

8、随着集成电路的发展,芯片尺寸和硅片直径越来越()。

9、双极型集成电路是以()工艺为基础制造而成的。

10、NMOS与TTL晶体管的制作工艺()。(相同/不同)

单元作业:单元1-集成电路制造工艺概述

1、集成电路的定义是什么?

2、集成电路的发展趋势是什么?

3、什么叫特征尺寸?特征尺寸大小有什么意义?

单元2:半导体材料及硅衬底的制备

2-1 认识半导体材料随堂测验

1、最常用的半导体材料是()。
    A、锗
    B、氮化硅
    C、硅
    D、石墨烯

2、掺入B元素的半导体为()型半导体
    A、P
    B、N
    C、本征半导体
    D、中性半导体

3、下列半导体属于第三代半导体的是()。
    A、硅
    B、锗
    C、砷化镓
    D、氮化镓

4、以下元素不属于n型掺杂剂的有:()。
    A、P
    B、As
    C、Sb
    D、B

5、以下选项中属于Si材料优点的是()。
    A、资源丰富、易于提高到极纯的纯度
    B、较易生长出大直径无位错单晶
    C、易于对进行可控n型和p型掺杂
    D、易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅 和非晶硅薄膜材料

6、以下选项中属于硅的用途的是().
    A、•高纯的单晶硅是重要的半导体材料
    B、金属陶瓷、宇宙航行的重要材料
    C、光导纤维通信,最新的现代通信手段
    D、性能优异的硅有机化合物等

7、重掺杂的多晶硅薄膜作为电容器的极板、浮 栅、电极等。

8、硅在常温下,只与强碱、氟化氢、氟气反应。

9、砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低 温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。

10、硅(Si)易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅 和非晶硅薄膜材料。

2-2 多晶硅的制备随堂测验

1、电子级纯的多晶硅的纯度为()。
    A、99.9999999%
    B、99.9999%
    C、99.99%
    D、99.999

2、由若干个取向不同的小单晶构成的晶体称为多晶

3、多晶硅单质硅的一种形态,是生产单晶硅的直接原料。

4、单晶是由分子、原子或离子按( )排列构成的晶体。

5、工业上多晶硅的制备主要采用()法。

2-3 单晶硅的制备随堂测验

1、影响CZ直拉法的两个主要参数是( )和( )。
    A、拉伸速率
    B、拉伸时间
    C、晶体旋转速率
    D、拉伸温度

2、CZ直拉法是按照在20世纪90年代初期它的发明者的名字来命名的。( √ )

3、区熔法是20世纪50年代发展起来的,能生产到目前为止最纯的硅单晶,含氧量非常少。

4、85%以上的单晶硅是采用FZ区熔法生长出来的。

5、单晶硅生长常用( )和( )两种生长方式,生长后的单晶硅被称为( )

2-4 硅单晶的质量检验随堂测验

1、单晶硅的导电类型的测试可采用()法。
    A、热探针法
    B、二探针法
    C、四探针法
    D、光电导衰减法

2、单晶体电学参数的测试主要包括()。
    A、导电类型
    B、电阻率
    C、晶体类型
    D、少数载流子寿命

3、单晶和多晶的确定可以通过对光的反射和棱线观察进行区分。

4、单晶硅的电阻率测试可采用两探针法和四探针法。

5、硅材料制备中产生的缺陷主要有()。

2-5 晶圆制备随堂测验

1、下面选项中不属于晶圆制备中的整型处理的是()。
    A、倒角
    B、去掉两端
    C、径向研磨
    D、硅片定位边和定位槽

2、从半导体制造来讲,晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是( )、()和( )
    A、100
    B、110
    C、101
    D、111

3、成品率是指在一片晶圆上所有芯片中好芯片所占的百分比。

4、晶圆的英文是 wafer 。

5、晶圆制备的九个工艺步骤分别是( )、整型、( )、磨片倒角、刻蚀、( )、清洗、检查和包装。

单元测试

1、半导体行业最常用的半导体材料是()。
    A、Si
    B、Ge
    C、氮化镓
    D、砷化镓

2、工业上最常用的多晶硅制备方法是()。
    A、直拉法
    B、区熔法
    C、三氯氢硅的氢还原法
    D、沉积法

3、当前,单晶硅的制备中85%左右都是采用()。
    A、还原法
    B、氧化法
    C、悬浮区熔法
    D、直拉法

4、电子级纯的多晶硅的纯度为()。
    A、99.9999999%
    B、99.9999%
    C、99%
    D、99.9%

5、硅的晶体结构是()形状。
    A、无定形结构
    B、六面体结构
    C、平面结构
    D、四面体结构

6、多晶硅变成单晶硅需要具备以下()条件。
    A、原子具有一定的动能,以便重新排列
    B、要有排列标准
    C、低温环境
    D、排列好的原子能稳定下来

7、在硅材料制备中产生的缺陷主要有()、()、()和()。
    A、点缺陷
    B、线缺陷
    C、面缺陷
    D、微缺陷

8、硅圆片(即晶圆)的制备中需要进行切片,切片这一工序决定了硅片的()()()()参数?
    A、晶向
    B、厚度
    C、平行度
    D、翘度

9、最常用的形成N型半导体的杂质有()( )和()。
    A、B
    B、P
    C、As
    D、Sb

10、以下()、()、()、()选项属于硅材料的优点。
    A、易于进行腐蚀加工
    B、带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO2
    C、易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅 和非晶硅薄膜材料
    D、易于进行n型和p型掺杂

11、制备半导体级硅的过程:制备工业硅 、生长硅单晶、提纯。

12、目前使用的半导体材料主要有元素半导体、化合物半导体和杂质半导体三大类。

13、单晶生长过程中使用到的籽晶的作用是作为排列的标准。

14、硅晶体中出现些缺陷是无关紧要的,不会有什么大的影响。

15、硅圆片制备中有一道工序是基准面研磨,主要是为了确定晶片的导电类型和晶向。

16、硅在自然界中主要以()和()的形式存在。

17、本征半导体在一定温度下,就会在热激发下产生()和()对,从而形成本征载流子浓度。

18、从半导体制造来讲,晶圆中用的最广的晶体的晶向是( )、( )和( )。

19、多晶是由若干个()小单晶构成的。

20、拉单晶的工艺过程可分为熔硅、下种、()、放肩、()、()和收尾。

单元作业:单元2-半导体材料及硅衬底的制备

1、晶圆的英文是什么?简述晶圆制备的工艺步骤。

2、常用的半导体材料为何选择硅?

3、硅锭直径从20世纪50年代初期的不到25mm增加到现在的300mm甚至更大,其原因是什么?

单元3:超净间及清洗技术

3-1 认识超净间随堂测验

1、洁净度为100级的概念是指每立方英尺空气中所含的直径大于0.5微米的颗粒数不大于()个。
    A、1000
    B、100
    C、10
    D、10000

2、离开超净间的步骤是:() a.脱乳胶手套(放入垃圾桶) b.脱超净鞋 c.脱超净服 d.脱超净帽 e.脱头套(放入垃圾桶) f.脱口罩(放入垃圾桶) g.脱一次性手套(放入垃圾桶)
    A、abcdefg
    B、bacdefg
    C、cbadefg
    D、acbdefg

3、在超净间里遇到火灾时,应该采取()()()措施?
    A、呼救并按下紧急按钮

    B、一直原地等待
    C、
第一时间尝试灭火

    D、无效后,立即撤退到危险区域外,报警,等
待救援

4、洁净度用每立方英尺空气中所含的直径大于0.5微米的颗粒数来衡量。

5、洁净室也叫超净间,其中的净化系统主要部件是()。

3-2 清洗技术随堂测验

1、常见的清洗方法有:()()()()。
    A、湿法化学清洗
    B、超声清洗法、兆声清洗法
    C、鼓泡清洗法、擦洗法
    D、RCA 标准清洗、等离子体清洗

2、湿法清洗分为()、()和()。
    A、有机清洗
    B、等离子体清洗
    C、无机清洗
    D、超声清洗

3、硅片清洗是半导体器件制造中最重要最频繁的步骤, 其效率将直接影响到器件的成品率、性能和可靠性。

4、采用化学清洗液和沾污的杂质之间发生物理或化学作用来去除污染物的清洗方法为干法清洗。

5、硅片的清洗主要分为两大类,干法清洗和()清洗。

3-3 半导体中的化学药品随堂测验

1、下面气体中不属于特种气体的是()。
    A、AsH3 掺杂的砷源
    B、BF3、BCl3 掺杂的硼源
    C、NH3工艺气体
    D、N2,Ar,He

2、以下()不是一些在硅片加工中常用的酸。
    A、HF
    B、HCL、H3PO4
    C、H2SO4、 HNO3
    D、TMAH

3、半导体制造中常用的溶剂有()、()、()和()。
    A、去离子水和异丙醇
    B、三氯乙烯
    C、丙酮
    D、二甲苯

4、等离子体为物质的第四种形态,当有高能电离的原子或分子的聚集体存在时就会出现等离子体。

5、氦气和氩气是广泛应用于半导体制造业肿的活性气体。

单元测验

1、RCA清洗属于()清洗方法。
    A、干法清洗
    B、湿法清洗
    C、超声清洗
    D、等离子体清洗

2、下面选项中()不属于硅片加工厂常用的工艺用液态化学品。
    A、HF和HNO3
    B、NH4OH和KOH
    C、异丙醇和三氯乙烯
    D、氮气和氦气

3、物质的第四种形态是()。
    A、固体
    B、液体
    C、气体
    D、等离子体

4、一下关于去离子水的说法中正确的是()。
    A、其中含有大量的导电的离子
    B、PH值大于7
    C、PH值等于7,为中性
    D、不能够溶解其他物质

5、下面进入超净间或者洁净室的做法正确的是()。
    A、可以戴隐形眼镜
    B、在超净间吃东西和喝水
    C、没有把超净服上衣扎在裤子里
    D、不让皮肤直接接触超净间的任何物体

6、RCA标准清洗需要使用的清洗液有()。
    A、SC-1
    B、SC-2
    C、SC-3
    D、DHF

7、化学品在半导体制造中的状态有()。
    A、固态
    B、气态
    C、等离子体
    D、液态

8、在半导体制造中通常使用的碱性物质有()。
    A、KOH
    B、NH4OH
    C、NaOH
    D、TMAH

9、超净间(即洁净室)内的除尘设备有()。
    A、干燥器
    B、风淋室
    C、静电自净器
    D、真空除尘器

10、下面()清洗方法属于干法清洗?
    A、等离子体清洗
    B、无机清洗
    C、气相清洗
    D、UV/O3清洗

11、集成电路生产过程中需要的环境的洁净度的等级都是一样的。

12、不同行业都有自己的洁净技术的标准。

13、在风淋室需要转动并拍打超净服,待指示灯点亮后方可离开风淋室。

14、集成电路工业中用于半导体原材料和所用器皿的清洗、光刻掩模版的制备和硅片氧化用的水汽源主要是去离子水,即超纯水。

15、氮气的作用是气化后可作为吹扫气体,也可作为降温用。

16、超声清洗常用的超声波为800-1200kHz。

17、在硅片厂一些特种气体是通过气体配送(BGD)系统以安全、清洁和精确的方式输送到不同的工艺站点。

18、去离子水里面没有任何导电的离子,PH值为7,是中性的,能够溶解很多离子化合物和共价化合物。

19、丙酮和硫酸都属于半导体制造中常用的溶剂。

20、HF可以刻蚀二氧化硅及清洗石英器皿使用。

21、洁净度为100级的概念是指每立方英尺空气中所含的直径大于0.5微米的颗粒数不大于()个。

22、无机清洗主要可以利用()去除有机物,或者利用()去除表面沾污的金属离子。

23、超纯水又称为()水,是指既将水中的导电介质几乎完全去除,又将水中不离解的胶体物质、气体及有机物均去除至很低程度的水。

24、在常压下,液氮温度为()度,1立方米的液氮可以膨胀至()立方米 21°C的纯气态氮。

25、硅片最常见的沾污类型有()、()、()、()和()。

单元作业:单元3-超净间及清洗技术

1、进入洁净室(超净间)需要注意哪些事项?

2、什么叫洁净度?100级的洁净度是指什么意思?

3、硅片表面的沾污有哪些?会造成什么不良影响?

4、什么叫湿法清洗?什么叫干法清洗?

单元5:光刻技术

5-1 基本光刻技术随堂测验

1、光刻技术的主要步骤包括( )
    A、抗蚀剂的涂布
    B、对准曝光
    C、显影(Develop)
    D、以上全部

2、光掩模(Mask)制作包括哪些步骤( )。
    A、模版设计
    B、曝光
    C、显影和刻蚀
    D、以上全是

3、不论正胶或负胶,光刻过程中都包括如下步骤:1. 刻蚀 2.前烘 3.显影 4. 去胶 5.涂胶 6. 曝光 7. 坚膜. 以下选项排列正确的是( )。
    A、2561437
    B、5263471
    C、5263714
    D、5263741

4、哪个是表征光刻胶对光敏感度的性能指标( )。
    A、灵敏度
    B、分辨率
    C、粘附性
    D、抗蚀比

5、哪个是表征光刻精度的性能指标,它不仅与光刻胶本身有关,还与光刻工艺条件和操作技术等因素有关( )。
    A、灵敏度
    B、分辨率
    C、粘附性
    D、抗蚀比

6、匀胶的基本步骤包括:a旋转铺开、b溶剂挥发、c滴胶、d高速旋转甩掉多余的胶,请选出正确的匀胶顺序( B ) A、cbad B、cadb C、 cdba D、 cdab
    A、cbad
    B、cadb
    C、cdba
    D、cdab

7、匀胶前处理(加HMDS)是为了去除粘附在硅片表面的尘埃。

8、对一款光刻胶采用不同匀胶工艺涂覆虽然其获得的胶厚不同但所需的曝光剂量却相同。

9、在采用接触式曝光时,掩膜间隙与曝光图形的保真度直接相关,间隙越大保真度越好。

10、前烘的目的是蒸发掉胶中的有机溶剂成分,使晶元表面的胶固化。

11、在涂胶工艺中胶的厚度可以通过旋涂的速度来控制。

5-3先进光刻技术随堂测验

1、正胶光刻,如窗口(SPACE)线宽偏大,这时可采取的办法是( )。
    A、加曝光时间
    B、减曝光时间
    C、没办法
    D、只要改变曝光时间即可

2、浸入式光刻技术可以提高光刻的分辨率。

3、电子束光刻不能制备10nm以下的结构器件。

4、纳米压印技术的加工分辨力只与模版图案的尺寸有关,而不受光学光刻的最短曝光波长的物理限制。

5-2 曝光技术随堂测验

1、现今工业上最常用的两种光刻用的紫外光源是()。
    A、普通激光
    B、高压汞灯
    C、准分子激光
    D、分子束

2、光刻技术中最常用的曝光方式有()。
    A、接触式曝光
    B、接近式曝光
    C、投影式曝光
    D、压印式曝光

3、光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。

4、光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是,光刻胶只对特定波长的光线敏感,例如深紫外线和白光,而对黄光不敏感。

5、投影掩膜版上的图形是由金属钽所形成的。

6、对于负性光刻胶,当曝光量不足时在显影时会发生脱胶现象。

7、对于正性光刻胶,当曝光量不足时,在显影时会留下底膜。

单元测验

1、光刻技术的主要步骤包括( )
    A、抗蚀剂的涂布
    B、对准曝光
    C、显影
    D、其它选项都正确

2、不论正胶或负胶,光刻过程中都包括如下步骤:1. 刻蚀 2.前烘 3.显影 4. 去胶 5.涂胶 6. 曝光 7. 坚膜. 以下选项排列正确的是( )
    A、5263714
    B、5263741
    C、5263471
    D、2561437

3、哪个是表征光刻精度的性能指标,它不仅与光刻胶本身有关,还与光刻工艺条件和操作技术等因素有关( )
    A、灵敏度
    B、分辨率
    C、粘附性
    D、抗蚀比

4、传统常规的光刻的光源最主要采用的是()。
    A、红外光
    B、X射线
    C、紫外光
    D、电子束

5、下面选项中哪个选项对电子束光刻的描述是错误的?()
    A、是利用某些高分子聚合物对电子敏感而形成曝光图形的一种光刻技术。
    B、电子束曝光的精度可以达到纳米量级,可以制作纳米结构器件。
    C、电子束曝光的曝光效率比较高。
    D、电子束光刻可用于集成光学器件,如光栅,光子晶体等。

6、光刻技术中的显影方式有()。
    A、扫描显影
    B、沉浸显影
    C、喷射显影
    D、高压方式下显影

7、光刻技术中的曝光方式主要包括下面哪三种?()
    A、接触式光刻
    B、接近式光刻
    C、投影式光刻
    D、压印式光刻

8、下面哪些选项可以作为曝光的光源使用?()
    A、紫外光
    B、极紫外光
    C、X射线
    D、电子束

9、下面哪些选项可以提高光刻技术的分辨率?
    A、移相掩膜技术
    B、邻近效应校正技术
    C、采用浸入式光刻技术
    D、提高光源的波长

10、光刻技术中的紫外光源主要包括()。
    A、汞灯
    B、准分子激光
    C、X射线
    D、红外线

11、在光刻工艺中,前烘的主要目的是()。
    A、蒸发掉胶中的有机溶剂成分,使晶圆表面的胶固化
    B、缓和在旋转过程中光刻胶膜内产生的应力
    C、
防止沾污设备
    D、增强光刻胶的粘附性

12、坚膜就是通过加温烘烤使胶膜更牢固地黏附在晶圆表面,并可
以増加胶层的抗刻蚀能力。

13、在采用接触式曝光时,掩膜间隙与曝光图形的保真度直接相关,间隙越大保真度越好。

14、对一款光刻胶采用不同匀胶工艺涂覆虽然其获得的胶厚不同但所需的曝光剂量却相同。

15、投影式曝光的光学分辨率取决于照明光波长、光学透镜的数值孔径和工艺条件,数值孔径越大分辨率越差。

16、光刻工艺中的分辨率是指能精确转移到晶片表面抗蚀剂上图案的最小尺寸。

17、光刻包括两种基本的工艺类型:负性光刻和( ),两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同,前者是( ),后者是( )。

18、光刻工艺在集成电路生产中得到广泛应用,它有三要素,分别是()、()、和()。

19、光刻工艺中使用的对准和曝光设备是是现代光刻系统的最主要的组成系统,光刻工艺中最主要的工艺控制项是()和()。

20、套装精度是指()。

21、光刻工艺中的HMDS增黏处理的方法有两种,分别是()和()。

单元作业

1、试写出光刻工艺的基本步骤。

2、简述光刻显影完成后坚膜的好处和弊端。

3、什么叫显影?

4、曝光方式有几种?各自的特点是什么?

5、什么叫光刻?

单元6:刻蚀技术

6-1 刻蚀工艺简介随堂测验

1、下列选项中属于刻蚀工艺类型的是( )
    A、干法刻蚀
    B、反向刻蚀
    C、物理刻蚀
    D、化学刻蚀

2、下面选项中属于刻蚀的主要参数的有()等。
    A、刻蚀速率和刻蚀因子
    B、刻蚀选择比
    C、刻蚀均匀性和良好形貌
    D、各向同性与各向异性

3、各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上(横向和垂直方向)以相同的刻蚀速率进行刻蚀。

4、刻蚀速率是测量刻蚀物质被移除的速率,通常用A。/min表示。

5、刻蚀的高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。

6-2 湿法刻蚀随堂测验

1、以下各项描述中不属于湿法刻蚀的特点的是()。
    A、高刻蚀的选择比
    B、低刻蚀的选择比
    C、不产生衬底损伤
    D、各向同性刻蚀,刻蚀后的线条宽度难以控制

2、不正确的刻蚀将导致硅片报废,给硅片制造公司带来损失。

3、在半导体生产中,湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。

4、在半导体制造工艺中有两种基本的刻蚀工艺:干法刻蚀和湿法刻蚀。前者是小尺寸下刻蚀器件的最主要方法,后者一般只是用在大于3微米的情况下。

5、各向异性腐蚀是指腐蚀液对不同的晶面的腐蚀速率完全一致。

6-3 干法刻蚀1随堂测验

1、以下选项中属于干法刻蚀的优点的选项是()。
    A、分辨率高
    B、各向异性腐蚀能力强
    C、腐蚀的选择比大、重复性好
    D、无化学废液、不易引入污染,洁净度高

2、在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是( )、( )和( )。
    A、化学作用
    B、物理作用
    C、化学作用与物理作用混合
    D、以上选项都不正确

3、干法刻蚀的特点之一是各向异性腐蚀能力强。

4、干法刻蚀由于图形的保真度比较好,是亚微米和深亚微米尺寸小刻蚀器件的主要方法。

5、干法刻蚀主要是指利用()放电产生的化学过程对材料表面的加工。

6-4 干法刻蚀2随堂测验

1、离子束刻蚀是利用具有一定能量的()轰击材
料表面,使材料原子发生溅射,从而达到刻蚀目的。
    A、电子
    B、离子
    C、原子
    D、分子

2、离子束刻蚀也可称为溅射刻蚀,该刻蚀过程为()。
    A、化学性刻蚀
    B、既有物理刻蚀又包含化学刻蚀
    C、物理性刻蚀
    D、其他选项都不正确

3、反应离子刻蚀RIE的主要特点是()。
    A、只属于物理性刻蚀
    B、只属于化学性刻蚀
    C、既有物理刻蚀又包含化学刻蚀
    D、以上选项都不正确

4、离子束是以近似一致的速度沿几乎同一方向运
动的一群离子。

5、反应离子刻蚀RIE刻蚀时选择最优的刻蚀掺数的组合可以在保证表面光滑和一定的速率和方向性。

单元测验:单元6-刻蚀技术

1、下列选项中属于刻蚀工艺类型的是( )。
    A、反向刻蚀
    B、干法刻蚀
    C、物理刻蚀
    D、化学刻蚀

2、下面选项中()关于干法刻蚀的说法是错误的。
    A、干法刻蚀主要是指利用等离子体放电产生的化学过程对材料表面的加工
    B、具有分辨率高、各向异性腐蚀能力强的特点
    C、腐蚀的选择比大、重复性好
    D、会产生化学废液、易引入污染,洁净度较低

3、()刻蚀方法是利用具有一定能量的离子轰击材料表面,使材料原子发生溅射,从而达到刻蚀目的。
    A、等离子体刻蚀
    B、化学刻蚀
    C、离子束刻蚀
    D、电子束刻蚀

4、下面关于刻蚀效果的描述中错误的是()。
    A、刻蚀均匀性要好
    B、图形的保真度好
    C、刻蚀选择比低
    D、刻蚀的洁净度高

5、当刻蚀线条时,刻蚀的深度V与一边的横向增加量ΔX的比值称之为()。
    A、刻蚀速率
    B、刻蚀均匀性
    C、刻蚀选择比
    D、刻蚀因子

6、()的刻蚀方法是以等离子体辅助来进行薄膜刻蚀的一种技术。
    A、干法刻蚀
    B、湿法刻蚀
    C、化学刻蚀
    D、物理刻蚀

7、含硅薄膜的干法刻蚀工作气体主要是()。
    A、CF4
    B、BCL3
    C、氮气
    D、氢气

8、下面()不属于钨的干法刻蚀所使用的气体。
    A、SF6
    B、Ar
    C、氧气
    D、氮气

9、在集成电路制造过程中,刻蚀通常是在()之后进行的,刻蚀与光刻一起实现了将掩膜版上的图形转移到薄膜上。
    A、显影
    B、光刻
    C、涂胶
    D、抛光

10、在IC制造过程中,曝光、刻蚀、显影和去胶的顺序是()。
    A、曝光-刻蚀-显影-去胶
    B、曝光-显影-刻蚀-去胶
    C、曝光-显影-去胶-刻蚀
    D、曝光-刻蚀-显影-去胶

11、在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是( )、( )和( )。
    A、化学作用
    B、物理作用
    C、化学作用与物理作用混合
    D、其他选项都不正确

12、刻蚀过程中主要的污染物有()。
    A、残留物
    B、聚合物
    C、颗粒污染
    D、气体

13、干法刻蚀主要包括下面几类()。
    A、离子束刻蚀IBE
    B、等离子体刻蚀PE
    C、反应离子刻蚀RIE
    D、高密度等离子体刻蚀HDP

14、在集成电路制造过程的图形制备的最后一道工序是光刻胶去除,这一过程叫去胶,常用的去胶方法有()。
    A、溶剂去胶
    B、氧化去胶
    C、物理去胶
    D、等离子体去胶

15、硅的湿法刻蚀过程中可能会用到的溶液有()。
    A、HNO3
    B、HF
    C、KOH
    D、醋酸

16、负载效应是指因刻蚀面积变化而导致的刻蚀均匀性的变化,刻蚀速率随着被刻蚀薄膜暴露的面积的增加而下降。


17、在半导体制造工艺中有干法刻蚀和湿法刻蚀两种基本的刻蚀工艺。前者是小尺寸下刻蚀器件的最主要方法,后者一般只是用在大于3微米的情况下。

18、刻蚀的均匀性由测量刻蚀前后晶圆的特定点厚度,并计算这些点的刻蚀速率得出,测试点的只要随机选取一片晶圆测试1个点的厚度即可。

19、高选择比意味着只去除想要刻蚀掉的膜层材料,所以选择比要求越高越好。

20、反应离子刻蚀RIE工作过程中若物理作用占主导则刻蚀损伤较大;若化学作用占主导则刻蚀速度较慢,各项同性,表面粗糙。

21、刻蚀是用( )或( )有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程,其基本目标是( )。

22、刻蚀是用()或()方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料,从而把光刻胶上的图形转移到薄膜上的过程。

23、刻蚀的方法有两类:湿法刻蚀和干法刻蚀,其中,()是利用液体化学试剂以化学形式除去硅片表面材料。而()是利用等离子体辅助来进行刻蚀的技术,刻蚀反应中不涉及液体。

24、干法刻蚀和湿法刻蚀二者中,通常()的刻蚀选择比较高,()的刻蚀通常是各向异性。

25、物理化学刻蚀中既有()的碰撞,又有()的反应。

单元作业:单元6-刻蚀技术

1、什么是干法刻蚀?什么是湿法腐蚀?两者所形成的刻蚀剖面有何区别?

2、什么是干法刻蚀?干法刻蚀相比于湿法腐蚀的优点有哪些?

单元7:掺杂技术

7-1 热扩散介绍随堂测验

1、在半导体加工工艺中掺杂的目的主要是()。
    A、改变半导体的结构
    B、改变半导体的导电类型
    C、改变半导体的组成元素
    D、改变半导体的化学特性

2、在扩散工艺中,杂质进入半导体后占据正常的晶格格点,主要是沿着空位向里扩散的方法是()。
    A、替位式扩散
    B、间隙式扩散
    C、自由式扩散
    D、恒定扩散

3、遵循在扩散过程中外界始终提供杂质源,硅片表面浓度恒定规律的扩散方法称之为()。
    A、有限源表面扩散
    B、两步扩散法(包括预扩散和住扩散)
    C、恒定源表面扩散
    D、自由式扩散

4、扩散是半导体掺杂的重要方法之一, 广泛应用于集成电路中,形成晶体管的基极、发射极、集电极,电阻,MOS工艺中形成源极、漏极、互连引线等。

5、硅集成电路工艺中,通常采用多晶硅作为掩膜进行选择性扩散。

7-2 热扩散技术随堂测验

1、下面()选项所描述的扩散是:利用保护性气体把杂质源蒸汽携带入石英管内,杂质在高温下分解,并与衬底表面的硅原子发生反应,杂质原子向硅片内部扩散。
    A、气态源扩散
    B、液态源扩散
    C、固态源扩散
    D、旋涂源扩散

2、扩散的分类取决于杂质源的形态。主要包括()。
    A、旋涂源扩散
    B、固态源
    C、气态源
    D、液态源

3、气态杂质源多为杂质的氢化物或者卤化物,这些气体的毒性很大,且易燃易爆,操作上要十分小心。

4、片状源扩散的特点是设备简单,操作方便,扩散结果不受气体流量的影响,扩散均匀性好,但是扩散源片不容易保存。

5、砷的液态源涂层扩散经常采用砷烷(AsH3)和三氧化二砷(As2O3 )。

7-3 扩散参数的质量参数与检测随堂测验

1、下面关于扩散层的方块电阻的描述不正确的是()。
    A、方块电阻反映了单位面积扩散进去的杂质总量,扩散的杂质越多,电阻越小
    B、可以通过测方块电阻来检测扩散进去的单位面积的杂质量
    C、方块电阻反映了单位面积扩散进去的杂质总量,扩散的杂质越多,电阻越大
    D、方块电阻的测量可以采用C-V法测量

2、扩散工艺中扩散结深的测量可以采用()方法测出。
    A、磨角染色法
    B、四探针法
    C、磨槽染色法
    D、C-V法

3、扩散中常见的质量问题有()。
    A、扩散的均匀性
    B、扩散的重复性
    C、扩散层的击穿电压
    D、扩散层的表面质量问题

4、方块电阻与方块的尺寸无关,只与结深有关。

5、扩散结深是指PN结所在的几何位置到硅片表面的距离。

7-4 离子注入随堂测验

1、下面关于离子注入技术所需要的三大元素描述正确的是()。
    A、离子的产生、离子的加速、离子的浓度
    B、离子的类别、离子的加速、离子的浓度
    C、离子的加速、离子的浓度、离子的控制
    D、离子的产生、离子的加速、离子的控制

2、在晶片制造中,有两种方法可以向硅片中引入杂质元素,即热扩散和离子注入。

3、离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度,因而在几乎所有应用中都优于扩散。

4、离子注入是一个物理过程,不发生化学反应。

5、离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。

单元测验:单元7-掺杂技术

1、离子注入是一个()过程。
    A、物理过程
    B、高温下的化学过程
    C、物理过程和化学过程混合
    D、常温下的化学过程

2、以下关于离子注入优点的选项中,()的说话是错误的。
    A、离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度,因而在几乎所有应用中都优于扩散。
    B、横向扩散现象很小
    C、很好的杂质均匀性
    D、注入杂质的纯度高,属于低温工艺

3、离子注入方法中的离子源是在一定真空度(低压)下,采用由()源产生的电子轰击杂质气体分子或原子,粒子(原子或分子)离化产生离子。
    A、汞灯
    B、热钨丝
    C、紫外线
    D、X射线

4、以下选项中,()选项不属于离子注入设备中的质量分析器(也叫磁分析器)的作用。
    A、将产生的离子引出
    B、选择注入所需的杂质成分
    C、对注入离子束起到纯化的作用
    D、只有合适的荷质比的离子才能通过狭缝被选择

5、下面杂质种类中()属于替位式扩散。
    A、Cu
    B、P
    C、Au
    D、Fe

6、半导体制造工艺中掺杂的主要目的是()。
    A、改变半导体的导电类型
    B、改变半导体的电阻率
    C、改变半导体的结构
    D、改变半导体的成分

7、扩散是物质的一个基本性质,下面()选项不属于扩散的形态。
    A、气相扩散
    B、液相扩散
    C、固相扩散
    D、混合扩散

8、扩散工艺中杂质浓度分布的测量可以采用()法测试。
    A、四探针法
    B、C-V法
    C、热探针法
    D、磨角染色法

9、扩散处理除在Si表面的垂直方向进行外,还将进 行横向扩散,横向扩散的宽度大约为()xj。这也是小尺寸器件不能采用扩散工艺的原因。
    A、0.2
    B、0.44
    C、0.8
    D、0.1

10、下面()选项中不是造成扩散过程中不均匀性的原因。
    A、杂质的浓度
    B、衬底材料本身的差异
    C、恒温区的温度波动
    D、杂质蒸汽压的不稳定

11、抑制离子注入过程中的沟道效应的措施有()。
    A、偏转注入或倾斜硅片
    B、在衬底表面制作掩膜氧化薄层(非结晶材料),使入射离子进入硅晶体前无序化
    C、提高离子注入的速度
    D、衬底的预非晶化处理(破坏表面结晶层)

12、离子注入设备主要包括以下()组成部分。
    A、离子源
    B、吸引电极和质量分析器
    C、加速管
    D、扫描系统和终端靶室

13、离子注入最主要的缺点是()
    A、会对晶体结构产生损伤
    B、离子注入设备复杂且昂贵
    C、高温工艺
    D、沟道效应(或通道效应)存在

14、掺杂在半导体生产中的作用有()。
    A、形成PN结
    B、形成电阻和形成欧姆接触
    C、形成双极形的基区、发射区、集电区,MOS管的源、漏区和对多晶硅掺杂
    D、形成电桥作互连线

15、离子注入是一种灵活的工艺,必须满足严格的芯片设计和生产要求,其两个重要参数是( )和( )。
    A、注入时间
    B、工作温度
    C、注入能量
    D、注入剂量

16、离子注入过程中的沟道效应是指离子注入过程中始终没有与原子核发生碰撞,而是沿晶格间隙“长驱直入”,进入硅片内部相当深的地方。

17、热扩散方法适合做深结,离子注入法适合做浅结。

18、离子注入方法和扩散方法均能精确控制杂质的浓度。

19、离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片,会导致光刻材料的阴影效应,阻碍离子束的注入。

20、硼是VA族元素,其掺杂形成的半导体是P型半导体。

21、离子注入中高能量意味着注入硅片更深处,低能量则用于超浅结注入。

22、掺杂的杂质和沾污的杂质是一样的效果。

23、离子注入过程中,当剂量固定时,束流越大,扫描时间越短,则其产能越高。

24、离子注入在非晶靶中典型的杂质分布无规律可循,一直属于随机分布。

25、纯净的半导体是一种有用的半导体。

26、在晶片制造中,有两种方法可以向硅片中引入杂质元素,即()和()。

27、离子化即(),“打掉”原子周围一个或多个(),使原子成为带正电荷的离子,便于后续电场加速。

28、方块电阻反映了单位面积扩散进去的杂质总量,扩散的杂质越多,电阻越(),反之,电阻越()。

29、热扩散工艺中扩散结深通常采用()和()两种方法进行测量。

30、半导体中掺入( )族元素,则可形成P型半导体,掺入()族元素则可以形成N型半导体。

掺杂技术-单元测验2

1、离子注入是一个()过程。
    A、物理过程
    B、高温下的化学过程
    C、物理过程和化学过程混合
    D、常温下的化学过程

2、以下关于离子注入优点的选项中,()的说话是错误的。
    A、离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度,因而在几乎所有应用中都优于扩散。
    B、横向扩散现象很小
    C、很好的杂质均匀性
    D、注入杂质的纯度高,属于低温工艺

3、离子注入方法中的离子源是在一定真空度(低压)下,采用由()源产生的电子轰击杂质气体分子或原子,粒子(原子或分子)离化产生离子。
    A、汞灯
    B、热钨丝
    C、紫外线
    D、X射线

4、以下选项中,()选项不属于离子注入设备中的质量分析器(也叫磁分析器)的作用。
    A、将产生的离子引出
    B、选择注入所需的杂质成分
    C、对注入离子束起到纯化的作用
    D、只有合适的荷质比的离子才能通过狭缝被选择

5、下面杂质种类中()属于替位式扩散。
    A、Cu
    B、P
    C、Au
    D、Fe

6、半导体制造工艺中掺杂的主要目的是()。
    A、改变半导体的电阻率
    B、改变半导体的导电类型
    C、改变半导体的结构
    D、改变半导体的成分

7、扩散是物质的一个基本性质,下面()选项不属于扩散的形态。
    A、气相扩散
    B、液相扩散
    C、固相扩散
    D、混合扩散

8、扩散工艺中杂质浓度分布的测量可以采用()法测试。
    A、四探针法
    B、C-V法
    C、热探针法
    D、磨角染色法

9、扩散处理除在Si表面的垂直方向进行外,还将进 行横向扩散,横向扩散的宽度大约为()xj。这也是小尺寸器件不能采用扩散工艺的原因。
    A、0.2
    B、0.44
    C、0.8
    D、0.1

10、下面()选项中不是造成扩散过程中不均匀性的原因。
    A、杂质的浓度
    B、衬底材料本身的差异
    C、恒温区的温度波动
    D、杂质蒸汽压的不稳定

11、抑制离子注入过程中的沟道效应的措施有()。
    A、偏转注入或倾斜硅片
    B、在衬底表面制作掩膜氧化薄层(非结晶材料),使入射离子进入硅晶体前无序化
    C、提高离子注入的速度
    D、衬底的预非晶化处理(破坏表面结晶层)

12、离子注入设备主要包括以下()组成部分。
    A、离子源
    B、吸引电极和质量分析器
    C、加速管
    D、扫描系统和终端靶室

13、离子注入最主要的缺点是()。
    A、会对晶体结构产生损伤
    B、离子注入设备复杂且昂贵
    C、高温工艺
    D、沟道效应(或通道效应)存在

14、掺杂在半导体生产中的作用有()。
    A、形成PN结
    B、形成电阻和形成欧姆接触
    C、形成双极形的基区、发射区、集电区,MOS管的源、漏区和对多晶硅掺杂
    D、形成电桥作互连线

15、离子注入是一种灵活的工艺,必须满足严格的芯片设计和生产要求,其两个重要参数是( )和( )。
    A、注入时间
    B、工作温度
    C、注入能量
    D、注入剂量

16、离子注入过程中的沟道效应是指离子注入过程中始终没有与原子核发生碰撞,而是沿晶格间隙“长驱直入”,进入硅片内部相当深的地方。

17、热扩散方法适合做深结,离子注入法适合做浅结。

18、离子注入方法和扩散方法均能精确控制杂质的浓度。

19、离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片,会导致光刻材料的阴影效应,阻碍离子束的注入。

20、硼是VA族元素,其掺杂形成的半导体是P型半导体。

21、离子注入中高能量意味着注入硅片更深处,低能量则用于超浅结注入。

22、在晶片制造中,有两种方法可以向硅片中引入杂质元素,即热扩散和离子注入。

23、掺杂的杂质和沾污的杂质是一样的效果。

24、离子注入过程中,当剂量固定时,束流越大,扫描时间越短,则其产能越高。

25、离子注入在非晶靶中典型的杂质分布无规律可循,一直属于随机分布。

26、纯净的半导体是一种有用的半导体。

27、方块电阻反映了单位面积扩散进去的杂质总量,扩散的杂质越多,电阻越大,反之,电阻越小。

28、离子化即(),“打掉”原子周围一个或多个(),使原子成为带正电荷的离子,便于后续电场加速。

29、热扩散工艺中扩散结深通常采用()和()两种方法进行测量。

30、半导体中掺入( )族元素,则可形成P型半导体,掺入()族元素则可以形成N型半导体。

31、扩散中有两种不同形式的扩散规律:()和恒定杂质总量的扩散,也叫有限源扩散。

32、掺杂中的两步扩散法的第一步是采用恒定表面源扩散的方式,第二步是采用()扩散方法。

单元作业:单元7-掺杂技术

1、什么是掺杂工艺?在晶片制造中,主要有几种方法进行掺杂?

2、什么叫离子注入?

3、简述扩散工艺的概念和扩散发生需要的两个必要条件。

单元8:平坦化技术

8-1 平坦化技术介绍随堂测验

1、下列选项中()不属于传统平坦化技术范畴。
    A、反刻
    B、玻璃回流
    C、旋涂膜层
    D、CMP

2、表面起伏的硅片进行平坦化处理,主要采用将低处填平的方法。

3、反刻是一种传统的平坦化技术,它能够实现全局平坦化。

4、旋涂膜层是一种传统的平坦化技术,在0.35μm及以上器件的制造中常普遍应用于平坦化和填充缝隙。

5、平滑是一种平坦化类型,它只能使台阶角度圆滑和侧壁倾斜,但高度没有显著变化。

8-2 化学机械抛光CMP随堂测验

1、CMP带来的一个显著的质量问题是表面微擦痕。小而难以发现的微擦痕导致淀积的金属中存在隐藏区,可能引起同一层金属之间的断路。

2、没有CMP,就不可能生产甚大规模集成电路芯片。

3、化学机械抛光技术中的抛光垫越粗糙,抛光速率越高,抛光图形的选择性越低,平坦化抛光的效果也越好,但过于粗糙,易产生划痕。

4、化学机械平坦化,简称(),它是一种表面()技术。

5、化学机械研磨技术,兼具有研磨性物质的()研磨与酸碱溶液的()研磨两种作用,可以使晶圆表面达到全面性的平坦化,以利于后续薄膜沉积之进行。

8-3 化学机械抛光CMP的主要工艺参数随堂测验

1、化学机械抛光的平整度是指CMP抛光去除台阶的高度与抛光之前台阶的高度之比,它描述了硅片表面的起伏变化情况。

2、CMP中的磨除速率是指CMP抛光时去除表面材料的速率,一般突出部分的磨除速率更低。

3、在CMP工艺中,如果需要磨除材料1,保留材料2,就必须使得磨除材料1的速率如果远远大于磨除材料2的速率,选择比越大,选择性就越好。

4、化学机械抛光CMP工艺是最先进最广泛应用的抛光技术,抛光技术非常成熟,不会产生任何缺陷。

5、CMP工艺中的片内非均匀性用来衡量一个单独硅片上膜层厚度的变化量,通过测量硅片上的多个点而获得。

8-4 化学机械抛光CMP质量的影响因素随堂测验

1、不同材料的抛光应选择不同的酸碱性溶液,酸性抛光液常用于抛光(),它具有可溶性好、酸性范围内氧化剂较多、抛光效率高等优点。
    A、金属
    B、非金属
    C、硅片
    D、多晶硅

2、在CMP工艺中,关于磨粒尺寸、浓度及硬度对抛光质量的影响的描述中正确的是()。
    A、磨粒硬度增加,抛光速率增加,抛光效果就越好
    B、只要磨粒的浓度增加,则材料去除率也一直随之增加
    C、通常情况下,当磨粒尺寸增加,抛光速率增加,但磨粒尺寸过小则易凝聚成团,使硅片表面划痕增加
    D、当磨粒尺寸增加,抛光速率也随之增加,抛光质量也会随之提高

3、CMP工艺中抛光压力越大,抛光速率越快,抛光效果就越好。

4、抛光区域温度的温度选择要合适,温度过高会引起抛光液的挥发及快速的化学反应,使表面腐蚀严重,抛光不均匀。温度过低,则会使反应速率降低、机械损伤严重。

5、在CMP工艺中,抛光液粘度增加,则流动性减小,传热性降低,抛光液分布不均匀,易造成材料去除率不均匀,降低表面质量。

8-5 化学机械抛光CMP的应用随堂测验

1、双大马士革铜抛光工艺中可能出现的缺陷有()。
    A、一定会有大面积的凹陷出现
    B、存在铜的侵蚀
    C、会产生许多表面污染颗粒、表面铜残留和BTA的残余
    D、金属氧化物上的金属残留物可能导致电学短路

2、氧化硅抛光主要是用来全局平坦化金属层之间淀积的ILD介质的。

3、氧化硅的CMP抛光中,氧化层用CMP抛光至特定的厚度,因为没有抛光停止层,ILD氧化层抛光需要有效的终点检测

4、STI中的填充氧化层是用CMP技术磨去比氮化硅层高的所有氧化硅,从而实现全局平坦化。

5、金属CMP的机理与氧化硅抛光的机理差不多。

单元测验:单元8-平坦化技术

1、下面选项中不属于化学机械抛光CMP工艺缺点的选项是( )?
    A、影响平坦化质量的工艺因素很多且不易控制  
    B、CMP进行平坦化的同时也会引入新的缺陷
    C、需要配套的设备、材料、工艺控制技术,这是一个需要开发、提高的系统工程
    D、设备、技术、耗材比较便宜,维护也较为简单

2、局部平坦化的特点是在一定范围的硅片表
面上实现平坦化,主要技术为()法。
    A、旋涂玻璃
(SOG)法
    B、化学机械抛光CMP法
    C、玻璃回流法
    D、回刻技术

3、下面()方法可实现晶片表面的全局化平坦。
    A、反刻
    B、玻璃回流
    C、旋涂膜层
    D、化学机械抛光

4、CMP技术所采用的设备有抛光机、后CMP清洗设备、抛光终点检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等,其中()是最重要的设备。
    A、后CMP清洗设备
    B、抛光机
    C、抛光终点检测及工艺控制设备
    D、废物处理和检测设备

5、不同材料的化学机械抛光应选择不同的酸碱性溶液。酸性抛光液常选择PH=4的荣毅仁,常用于抛光()材料。
    A、多晶硅
    B、金属
    C、氧化硅
    D、非金属

6、下面关于化学机械抛光技术CMP的叙述正确的选项是()。
    A、平坦化不同的材料,各种各样的硅片表面能被平坦化
    B、在同一次抛光过程中对平坦化多层材料有用
    C、能获得全局平坦化
    D、由于减小了表面起伏,从而能改善金属台阶覆盖

7、CMP抛光质量的影响因素有()。
    A、抛光压力
    B、相对速度
    C、抛光区域温度
    D、抛光液粘度、PH值
    E、磨粒尺寸、浓度及硬度

8、氧化硅的化学机械抛光是集成电路制造中最先进和最广泛的平坦化工艺,主要应用于()方面。
    A、大马士革工艺
    B、层间介质(ILD)CMP
    C、浅沟槽隔离(STI)CMP
    D、钨的CMP

9、在金属铜的双大马士革铜抛光工艺中,研磨通常包括下面哪几步?()
    A、磨掉晶圆表面的大部分金属
    B、降低研磨速率的方法精磨与阻挡层接触的金属,并通过终点侦测使研磨停在阻挡层上
    C、磨掉阻挡层以及少量的介质氧化物
    D、用大量的去离子水(DIW)清洗研磨垫和晶圆两侧表面

10、化学机械抛光CMP工艺中影响抛光质量的三大关键要素是()。
    A、抛光机
    B、抛光液
    C、抛光垫
    D、后清洗设备

11、表面起伏的硅片进行平坦化处理,主要采用将低处填平的方法。

12、化学机械平坦化,简称CMP,它是一种表面全局平坦化技术。

13、反刻是一种传统的平坦化技术,它能够实现全局平坦化。

14、CMP带来的一个显著的质量问题是表面微擦痕。小而难以发现的微擦痕导致淀积的金属中存在隐藏区,可能引起同一层金属之间的断路。

15、旋涂膜层是一种传统的平坦化技术,在0.35μm及以上器件的制造中常普遍应用于平坦化和填充缝隙。

16、在CMP设备中被广泛采用的终点检测方法是光学干涉终点检测。

17、玻璃回流可以满足深亚微米IC的平坦化要求。

18、化学机械抛光设备中的抛光垫越粗糙,抛光速率越高,抛光图形的选择性越高,平坦化抛光的效果也越好,但过于粗糙,易产生划痕。

19、化学机械抛光CMP设备中的抛光区域温度升高,抛光速率会减小,但是温度过高过低均会引起抛光质量下降。

20、CMP是一种减薄层材料的工艺并能去除表面缺陷的平坦化技术。

单元作业:单元8-平坦化技术

1、什么叫化学机械研磨CMP?

2、什么叫反刻技术?

3、化学机械研磨CMP的工作原理是什么?

单元9:集成电路封装与测试

9-1 集成电路封装技术介绍随堂测验

1、下列选项中不属于集成电路封装的作用?()
    A、芯片电路的制作
    B、支撑和保护芯片,支撑封装好的器件不被外界损坏
    C、将芯片电极与外接电路连接
    D、提供散热途径,确保芯片的工作可靠性

2、集成电路的封装按封装材料划分为()。
    A、金属封装
    B、陶瓷封装
    C、半导体封装
    D、塑料封装

3、是指将IC芯片在框架或基板上布局,加以粘贴固定并密封保护,引出接线端子并通过塑封固定,构成整体结构的工艺和技术。

4、封装发展的影响因素有功率、重量、尺寸、可靠性、电学特性等。

5、CSP封装的芯片面积与封装面积之比超过1:1.14。已经非常接近于1:1的理想情况

6、下面各种封装类型的英文缩写分别是: 双列直插式封装的英文缩写( )、单列直插式封装( )、薄小外型封装( )、四边引脚扁平封装( )、带引线的塑料芯片载体( )、无引脚芯片载体( )、插针阵列( )、球栅阵列( )、芯片尺寸封装( )。

9-2 集成电路封装工艺流程随堂测验

1、下面关于集成电路封装工艺流程步骤叙述正确的是()。
    A、磨片-装片-划片-键合-塑封-电镀-切筋/打弯-打印
    B、磨片-划片-装片-键合-塑封-电镀-切筋/打弯-打印
    C、磨片-划片-装片-键合-电镀-切筋/打弯-塑封-打印
    D、磨片-划片-键合-装片-塑封-电镀-切筋/打弯-打印

2、集成电路封装流程中划片的目的是将具有数百个集成电路的管芯的圆片分割成许多单独的管芯以便装片。

3、键合是指利用高纯度的金线(Au) 、铜线(Cu)或铝线(Al)把 Pad和 Lead通过焊接的方法连接起来的工艺。

4、电镀的方式在引脚上进行镀上一层保护性薄膜(焊锡),以增加引脚抗蚀性和可焊性,电镀是唯一一种引脚加焊锡的方法。

5、塑料封装中,塑料树脂溢出、贴带毛边,引线毛刺等统称为飞边毛刺,飞边毛刺对封装完成的芯片没有任何影响,不必要处理。

9-3 集成电路测试技术随堂测验

1、芯片的成品测试和器件的可靠性测试是在()阶段进行的。
    A、芯片封装之前的前道工序中
    B、芯片封装阶段
    C、芯片生产之前的设计阶段
    D、在芯片生产的任何阶段均可

2、集成电路测试中的浴盆曲线反映的是时间与失效率的关系,可分为三个阶段:早期失效期、偶然失效期和损耗失效期,对于其规律的描述不正确的是()。
    A、偶然失效期是指产品工作一段时间后,失效率很低,且与时间无关
    B、早期失效期指产品刚使用时失效率较高,但会随着时间的增加而迅速下降
    C、耗损失效期是产品使用较长时间后,由于磨损老化等原因引起的失效,随着时间增加失效率会增加
    D、早期失效期因为是集成电路刚刚投入使用,失效率很低,可不必关注

3、当晶圆制造过程完成,Wafer上每个die都必须经过测试,测试内容通常包括电压、电流,但不包括时序测试和功能的验证。

4、芯片的成品测试是晶圆被切割成独立的电路单元,且每个单元都被封装出来后,需要经历此测试以验证封装过程的正确性并保证器件仍然能达到它的设计指标的测试。

5、集成电路的可靠性和可靠度是相同的概念。

单元测验:单元9-集成电路封装与测试

1、集成电路封装完成后需要进行成品测试,其中用于测试产品高温且潮湿环境下的耐久性的测试项目是()。
    A、高压蒸煮测试
    B、温度和湿度
    C、温度循环测试
    D、高温储藏测试

2、集成电路封装又称( )工序,是指将中测后的合格芯片从圆片上装配到管座上并进而封装成为实用性的单个元器件或集成电路。
    A、后道
    B、前道
    C、中段
    D、最后

3、下面选项中,()不属于集成电路封装的作用。
    A、保护和支撑芯片
    B、形成电路结构
    C、将芯片电极与外接电路连接
    D、提供散热途径,确保芯片的工作可靠性

4、下面图示器件的封装材料属于()类型。
    A、陶瓷封装
    B、塑料封装
    C、金属封装
    D、半导体

5、很多大规模或超大集成电路都采用如下图所示的封装形式,其引脚数量一般都在100个以上,该封装的名称为()。
    A、插针阵列--PGA
    B、小外形封装SOP
    C、塑料电极芯片载体封装PLCC
    D、四边形扁平封装QFP

6、下面选项中关于球栅阵列—BGA封装叙述不正确的是()。
    A、是第三代面矩阵式(Area Array)IC封装技术
    B、在晶粒底部以阵列的方式布置许多锡球,用这些锡球代替传统的导线架,每个锡球就是一个引脚,锡球规则的排列在芯片底部,就形成了这种独特的封装结构
    C、可将芯片制作到更小尺寸
    D、安装时需要将芯片插入专用的BGA插座

7、集成电路封装发展的进程描述正确的是()。
    A、装配方式是通孔插装→表面贴装(SMT)→直接安装
    B、引脚形状是长引线直插→短引线或无引线贴装→球状凸点
    C、材料方面是金属、陶瓷→陶瓷、塑料→塑料
    D、结构方面是TO→DIP→LCC→QFP→BGA →CSP

8、键合是将芯片焊区与电子封装外壳的I/O引线或基板上的金属布线焊区连接,实现芯片与封装结构的电路连接的技术,键合主要包括下面哪些方式?()
    A、贴片式键合
    B、引线键合
    C、带式自动键合
    D、倒装芯片键合

9、集成电路封装流程中去除飞边毛刺的方法有()。
    A、利用介质去飞边毛刺
    B、机械磨除
    C、溶剂去飞边毛刺
    D、水去飞边毛刺

10、下面图形描述的是集成电路封装之后进行产品可靠性测试获得的曲线,下面选项中叙述正确的是()。
    A、早夭期,即早期失效期,指产品刚使用时产品失效率会随着时间的增加而迅速下降
    B、产品的正常使用期是产品工作一段后,失效率会变得很低,且与时间无关
    C、耐用区也叫损耗失效区,是产品使用很长时间后,失效率会随着时间的增加而上升
    D、正常使用期的时间越长,产品的可靠性越高

11、晶圆测试是指晶圆制造过程完成后Wafer上每个die都必须经过的测试,通常包括()测试项目。
    A、电压测试
    B、电流测试
    C、时序测试
    D、功能的验证

12、集成电路产品的可靠性和可靠度的含义是一致的。

13、狭义封装是指将IC芯片在框架或基板上布局,加以粘贴固定并密封保护,引出接线端子并通过塑封固定,构成整体结构的工艺和技术。

14、封装形式的决定因素之一是封装效率,即:芯片面积/封装面积,尽量接近1:1。

15、集成电路封装的引脚数越少,则越高级,工艺难度也相应增加。

16、DIP(双列直插)封装特点是适合用于PTH穿孔焊接。

17、PGA芯片封装特点是在芯片的内外有多个方阵形的插针,每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列,安装时,需将芯片插入专用的PGA插座。

18、多芯片封装技术以圆片为加工对象,在圆片上同时对众多芯片进行封装、老化、测试,最后切割成单个器件,可以直接贴装到基板或印刷电路板上

19、键合可以利用高纯度的金线(Au) 、铜线(Cu)或铝线(Al)把 Pad 和 Lead通过焊接的方法连接起来。

20、成品测试和可靠性测试是在IC制造的后道工序中需要进行的测试。

21、在晶圆测试中某个Die不符合规格,那么它会被测试过程判为失效(Fail),通常会用墨点(Ink)将其标示出来。

单元作业:单元9-集成电路封装与测试

1、请写出下列封装的英文缩写: 双列直插式封装 单列直插式封装 薄小外型封装 四边引脚扁平封装 带引线的塑料芯片载体 无引脚芯片载体 插针阵列 球栅阵列 芯片尺寸封装

2、请写出下面图片所表示的器件的封装类型。

3、请写出集成电路的封装流程。

4、请写出下面集成电路可靠性测试项目的测试目的: 预处理(Preconditioning Test,Precon Test) 温度循环测试(Temperature Cycling Test,T/C Test) 热冲击(Thermal Shock Test,T/S Test) 高温储藏(High Temperature Storage Test,HTS Test) 温度和湿度(Temperature & Humidity Test,T&H Test) 高压蒸煮(Pressure Cooker Test,PC Test)

《IC制造工艺》期中考试

《IC制造工艺》期中考试

1、摩尔定律指出集成电路的晶体管的集成度每()个月翻一番。
    A、12
    B、18
    C、24
    D、36

2、随着集成电路的发展,芯片尺寸越来越()、硅片直径越来越()。
    A、大 大
    B、大 小
    C、小 大
    D、小 小

3、RCA清洗属于()清洗方法。
    A、湿法清洗
    B、干法清洗
    C、超声清洗
    D、等离子体清洗

4、下面选项中()不属于硅片加工厂常用的工艺用液态化学品。
    A、氮气和氦气
    B、HF和HNO3
    C、NH4OH和KOH
    D、异丙醇和三氯乙烯

5、物质的第四种形态是()。
    A、气体
    B、等离子体
    C、固体
    D、液体

6、以下关于去离子水的说法中正确的是()。
    A、其中含有大量的导电的离子
    B、PH值大于7
    C、PH值等于7,为中性
    D、不能够溶解其他物质

7、工业上最常用的多晶硅制备方法是()。 A. 三氯氢硅的氢还原法 B. 直拉法 C. 区熔法 D. 沉积法
    A、沉积法
    B、直拉法
    C、区熔法
    D、三氯氢硅的氢还原法

8、当前,单晶硅的制备中85%左右都是采用()。
    A、还原法
    B、直拉法
    C、氧化法
    D、悬浮区熔法

9、电子级纯的多晶硅的纯度为()。
    A、99.9999%
    B、99%
    C、99.9%
    D、99.9999999%

10、硅的晶体结构是()形状。
    A、无定形结构
    B、四面体结构
    C、六面体结构
    D、平面结构

11、下面选项中对于拉单晶的工艺过程叙述正确的是()。 (1)熔硅 (2)下种 (3)收颈 (4)放肩 (5)转肩 (6)等径生长 (7)收尾
    A、(1)(2)(3)(5)(4)(6)(7)
    B、(1)(2)(4)(5)(3)(6)(7)
    C、(1)(2)(3)(6)(4)(5)(7)
    D、(1)(2)(3)(4)(5)(6)(7)

12、下面关于多晶和单晶的关系的描述正确的是()。多晶是由若干个()的小单晶构成的。
    A、多晶是由若干个取向相同的小单晶构成的
    B、多晶是由若干个取向不同的小单晶构成的
    C、多晶是由若干个小单晶构成的,单晶的取向无所谓
    D、多晶与单晶毫无关系

13、本征半导体在一定温度下,就会在热激发下产生电子和空穴对,从而形成本征载流子浓度,本证半导体的带电性是()。
    A、整体不带电,呈中性
    B、带正电
    C、带负电
    D、可能带正电,可能带负电

14、从半导体制造来讲,晶圆中用的最广的晶体的晶向是111、 100和 ( )。
    A、101
    B、110
    C、001
    D、011

15、最常用的形成P型半导体的杂质有()。
    A、P
    B、As
    C、Sb
    D、B

16、二氧化硅最常用的腐蚀液是( )。
    A、HNO3
    B、H3PO4
    C、HF
    D、KOH

17、二氧化硅薄膜在半导体器件生产上的应用有() ⑴ 对杂质的掩蔽作用 ⑵ 对器件表面的保护和钝化作用 ⑶ 用于器件的电绝缘和电隔离 ⑷ 作为电容器的介质材料 ⑸ 作为MOS场效应晶体管的绝缘栅材料
    A、⑴⑵⑶⑷⑸
    B、⑶⑷⑸
    C、⑴⑷⑸
    D、⑵⑶

18、下面关于二氧化硅薄膜制备的说法哪项是正确的()。 ⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上,也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2,衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2,温度低
    A、⑴⑵⑷
    B、⑵⑶⑷
    C、⑴⑶⑷
    D、⑴⑵⑶⑷

19、当SiO2网络中掺入IIIA族元素,网络的强度(),当网络中掺入VA族元素,网络的强度()。
    A、减弱 增强
    B、增强 减弱
    C、增强 增强
    D、减弱 减弱

20、1光刻技术的主要步骤包括( )
    A、抗蚀剂的涂布
    B、对准曝光
    C、显影
    D、其它选项都正确

21、不论正胶或负胶,光刻过程中都包括如下步骤:1. 刻蚀 2.前烘 3.显影 4. 去胶 5.涂胶 6. 曝光 7. 坚膜. 以下选项排列正确的是( )。
    A、5263471
    B、5263741
    C、5263714
    D、2561437

22、传统常规的光刻的光源最主要采用的是()。
    A、红外光
    B、X射线
    C、电子束
    D、紫外光

23、下面选项中哪个选项对电子束光刻的描述是错误的?()
    A、是利用某些高分子聚合物对电子敏感而形成曝光图形的一种光刻技术
    B、电子束曝光的曝光效率比较高
    C、电子束曝光的精度可以达到纳米量级,可以制作纳米结构器件
    D、电子束光刻可用于集成光学器件,如光栅,光子晶体等

24、光刻技术中的显影方式有()。
    A、扫描显影
    B、喷射显影
    C、沉浸显影
    D、高压方式下显影

25、光刻流程中通过加温烘烤使胶膜更牢固地黏附在晶圆表面,并可
以増加胶层的抗刻蚀能力的工艺步骤是()。
    A、坚膜
    B、前烘
    C、后烘
    D、涂胶

26、光刻工艺中使用的对准和曝光设备是是现代光刻系统的最主要的组成系统,光刻工艺中最主要的工艺控制项是条宽控制 和()。
    A、对位控制
    B、分辨率控制
    C、粘附性控制
    D、灵敏度控制

27、光刻包括两种基本的工艺类型:负性光刻和正性光刻,负性光刻中采用的光刻胶是( )。
    A、正性光刻胶
    B、正性或负性光刻胶
    C、负性光刻胶
    D、电子束光刻胶

28、下列选项中不属于二氧化硅层厚度检测方法的是( )。
    A、光学干涉法
    B、三探针法
    C、比色法
    D、椭圆偏振法

29、二氧化硅热氧化有多种方式,下面关于氧化方式对生长速率影响的说法正确的是()。
    A、湿氧氧化速率>水汽氧化速率>干氧氧化速率
    B、水汽氧化速率>干氧氧化速率>湿氧氧化速率
    C、干氧氧化速率>水汽氧化速率>湿氧氧化速率
    D、水汽氧化速率>湿氧氧化速率>干氧氧化速率

30、在一些需要多层金属层的VLSI工艺中,大多数半导体产商应用哪种金属作为上下金属层间的中间金属连接物。()
    A、钛
    B、铝
    C、铜
    D、钨

31、世界上第一只晶体管出现于()年的贝尔电话实验室。
    A、1947
    B、1956
    C、1959
    D、1965

32、特征尺寸(CD)是衡量集成电路设计和制造工艺水平的重要尺度,特征尺寸为()被称为深亚微米工艺技术层次。
    A、40nm
    B、0.25um
    C、0.35um
    D、14nm

33、芯片的特征尺寸越小,芯片的集成度越(),速度越(),性能越()。
    A、高 快 差
    B、小 快 好
    C、高 慢 好
    D、高 快 好

34、在常压下,液氮温度为()度,1立方米的液氮可以膨胀至()立方米 21°C的纯气态氮。
    A、-180 696
    B、-196 696
    C、-21 696
    D、-196 400

35、二氧化硅热氧化过程中要生成1体积的二氧化硅,需要消耗掉()体积的硅。
    A、0.44
    B、0.56
    C、0.75
    D、1

36、下列半导体属于第三代半导体的是()。
    A、硅
    B、氮化镓
    C、砷化镓
    D、锗

37、()制成的半导体器件具有高频、高温、低 温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。
    A、砷化镓
    B、氮化硅
    C、InP
    D、硅

38、洁净度为100级的概念是指每立方英尺空气中所含的直径大于0.5微米的颗粒数不大于()个。
    A、1000
    B、10
    C、100
    D、10000

39、以下()选项不是在硅片加工中常用的酸。
    A、HF
    B、HCL、H3PO4
    C、H2SO4、 HNO3
    D、TMAH

40、IC 制造过程中会用到多种类型的薄膜,下面选项中可作为金属膜使用的是()。
    A、磷硅玻璃
    B、铝-硅合金
    C、多晶硅
    D、硼磷硅玻璃

41、半导体生产中常用的薄膜类型有()。
    A、绝缘介质膜
    B、半导体薄膜
    C、陶瓷薄膜
    D、金属薄膜

42、多晶硅变成单晶硅需要具备以下()条件。
    A、原子具有一定的动能,以便重新排列
    B、要有排列标准
    C、排列好的原子能稳定下来
    D、低温环境

43、硅是半导体产业中最常用的半导体材料,以下()选项属于硅材料的优点。
    A、易于进行腐蚀加工
    B、带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO2
    C、易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅 和非晶硅薄膜材料
    D、易于进行n型和p型掺杂

44、以下各选项说法中,对于导电膜作用叙述正确的选项是()。
    A、连接作用:将IC里的各元件连起来,形成一个功能完善而强大的IC
    B、接触作用:在基区和发射区、栅区及有源区形成欧姆接触
    C、阻挡作用:阻挡Al与Si的互溶,防止结的穿通
    D、抗反射作用(ARC作用):降低Al表面反射率,有利于曝光

45、下面关于几种CVD方法的描述正确的是()。
    A、LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜
    B、等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统,低温淀积是其最主要优点。
    C、低压化学气相淀积系统(LPCVD)淀积的某些薄膜,在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好,而且污染也少。
    D、做CVD淀积钨时,采用六氟化钨WF6作为气体源,六氟化钨能
与衬底窗口处的硅反应,而不与二氧化硅、氮化硅反应,
所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。

46、以下选项中关于MOCVD的特点描述正确的选项有()。
    A、非常适合于生长各种异质结构材料
    B、外延层大面积均匀性良好,可以进行大规模生产
    C、可以生长超薄外延层,并能获得很陡的界面过渡
    D、生长易于控制,可以生长纯度很高的材料
    E、适用范围广泛,几乎可以生长所有化合物及合金半导体

47、光刻技术中的曝光方式主要包括下面哪几种?()。
    A、压印式光刻
    B、投影式光刻
    C、接近式光刻
    D、接触式光刻

48、光刻技术中的紫外光源主要包括()。
    A、汞灯
    B、X射线
    C、准分子激光
    D、红外线

49、下面哪些选项可以提高光刻技术的分辨率?()
    A、移相掩膜技术
    B、邻近效应校正技术
    C、采用浸入式光刻技术
    D、提高光源的波长

50、在光刻工艺中,前烘的主要目的是()。
    A、蒸发掉胶中的有机溶剂成分,使晶圆表面的胶固化
    B、防止沾污设备(
    C、增强光刻胶的粘附性
    D、缓和在旋转过程中光刻胶膜内产生的应力

51、1微电子学的核心是集成电路。

52、纳米是长度的单位,1纳米为1微米的1000倍。

53、SOC的出现说明集成电路的规模越来越大,SOC是指芯片级的系统。

54、CD(Critical Dimension)是集成电路中半导体器件的最小尺寸,是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度。

55、NMOS与TTL晶体管的制作工艺相同。

56、集成电路生产过程中需要的环境的洁净度的等级是不一样的,光刻和封装的洁净度要求是最高的。

57、集成电路工业中用于半导体原材料和所用器皿的清洗、光刻掩模版的制备和硅片氧化用的水汽源主要是去离子水,即超纯水。

58、超声清洗常用的超声波为800-1200kHz。

59、丙酮和硫酸都属于半导体制造中常用的溶剂。

60、HF可以刻蚀二氧化硅及清洗石英器皿使用。

61、半导体行业最早采用的半导体材料是锗,最常用的半导体材料是硅。

62、硅晶体中出现些缺陷是无关紧要的,不会有什么大的影响。

63、硅圆片制备中有一道工序是基准面研磨,主要是为了确定晶片的导电类型和晶向。

64、CVD是利用某种物理过程,例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移,即原子或分子由源转移到衬底(硅)表面上,并淀积成薄膜。

65、外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层,分为同质外延和异质外延两大类。

66、LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃,采用增强的等离子体,增加淀积能量,即低压和低温。

67、铝、铜、单晶硅、铝-硅合金、铝铜合金及硅化物均属于同种类型的薄膜,均属于导体膜。

68、在半导体制造中,氮化硅Si3N4可以作为杂质扩散的掩蔽膜和钝化膜使用。

69、在采用接触式曝光时,掩膜间隙与曝光图形的保真度直接相关,间隙越大保真度越好。

70、光刻工艺中的分辨率是指能精确转移到晶片表面抗蚀剂上图案的最小尺寸。

71、X射线光刻、电子束光刻和极紫外光刻技术均是通过减小光源波长来提高分辨率的先进光刻技术。

72、光刻是IC制造中最关键的工艺,光刻成本在整个硅片加工成本中几乎占到三分之一。

73、正性光刻胶和负性光刻胶的显影方式正好相反,其中,负性光刻胶具有更高的分辨率。

74、光刻工艺中光刻胶涂布的均匀性只与工作环境的温度有关。

75、溅射是指利用高能粒子(通常是由电场加速的正离子如Ar+)撞击固体表面,使表面离子(原子或分子)逸出的现象。

76、干氧氧化比湿氧氧化的氧化速率快,生成的二氧化硅膜的致密性更好。

77、相对于CVD而言,PVD工艺温度低,工艺原理简单,但所制备薄膜的台阶覆盖性、附着性和致密性不如CVD。

78、外延按化学组成可分为同质外延和异质外延,在蓝宝石上生长硅属于同质外延。

79、常规热氧化设备可分为卧式和立式两种,其中,立式炉更容易实现自动化,且能更好的控制温度和提高均匀性。

80、RCA标准清洗法是最普遍采用的一种湿法清洗法,该法主要包括SC-1、SC-2、SC-3和DHF四种清洗液。

81、风淋室是为保证洁净室的洁净度所用到的唯一的除尘设备。

82、1000级洁净室的洁净度级别要高于100级的洁净室的洁净度。

83、半导体材料最突出的性质是电阻率介于导体和绝缘体之间。

84、硅晶体中出现些缺陷是无关紧要的,不会有什么大的影响。

85、高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。

86、硅在自然界中以硅土和硅酸盐的形态出现,从重量上计算,硅土占地壳的25%。

87、硅片制备中的倒角工艺是为了磨掉硅片边缘的棱角,使之变光滑的技术,国际上倒角的规格没有特殊要求,只要光滑即可。

88、直拉法和区熔法均可制备单晶硅,二者均被广泛使用,市场占有额差不多。

89、对一款光刻胶采用不同匀胶工艺涂覆虽然其获得的胶厚不同但所需的曝光剂量却相同。

90、光刻工艺中的分辨率是指能精确转移到晶片表面抗蚀剂上图案的最小尺寸。